ST 功率晶体管
ST意法半导体适用于高压和低压应用的领先功率技术，结合全封装范围和创新芯片键合技术，是ST在属于STPOWER系列的功率晶体管方面的创新。ST提供范围从-100到1700 V的功率MOSFET、击穿电压从300到1700 V、功率双极晶体管从15到1700 V不等的IGBT和功率双极晶体管，我们的碳化硅（SiC）MOSFET确保了良好的鲁棒性，这得益于业界最高的温度额定值200°C和650至2200 V的电压范围。此外，我们的硅衬底氮化镓（GaN/Si）晶体管由于出色的动态导通电阻和小电容100，650和900伏。